晶体管类型: NPN/PNP

集射极击穿电压(Vceo): 160V

集电极电流(Ic): 0.2A

功率(Pd): 0.2W

集电极截止电流(Icbo): 0.05μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.15V@10mA, 1mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 300 @ 10mA, 5V

特征频率(fT): 100MHz

工作温度范围: +150℃ (Tj)

封装: SOT-363

二极管配置-

稳压值(标称值):4.7V

稳压值(范围)：4.61V-4.79V

精度-

功率:200mW

反向电流(Ir):3uA

VD：60V
VIN：10V
RDS：500mΩ
IIN：0.7mA
ID：1.3A
Package：SOT-223

VRRM（V）：1200V
IF（A）：10.5A
VF Typ（V）：1.8V
PD@TC=25℃（W）：153W
Package：TO-220-2

VDRM(V)：800V
IT(RMS)(A)：1A
IGT(mA)/Max：200uA
VGT(V) ：0.8V
Package：TO-92

类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：115mA

功率(Pd)：225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

VCE(V)：1200V
IC@TC=100℃（A）：19A
PD@TC=25℃（W）：134W
TJ（℃）：-55~175℃
Package：TO-247-3

类型:N+P沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,5.6A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA